| 型号：DMG6898LSD-13 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Diodes Inc |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8 | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8 |
| 系列 | - |
| 制造商 | Diodes Inc |
| FET型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 9.5A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 16 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 26nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 1149pF @ 10V |
| 功率_最大 | 1.28W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
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